Ústav teorie informace a automatizace

Jste zde

Bibliografie

Conference Paper (international conference)

Study of InAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy

Vaniš Jan, Zelinka Jiří, Malina Václav, Henini M., Šroubek Filip, Walachová Jarmila

: Technical Digest. QDOS 2007 - Quantum Dot Optoelectronics Symposium , Eds: Ellinas Georgios, Iezekiel Stavros

: QDOS 2007 - Quantum Dot Optoelectronics Symposium, (Limassol, CY, 14.11.2007-16.11.2007)

: CEZ:AV0Z20670512

: CEZ:AV0Z10750506

: GA202/05/0242, GA ČR

: quantum dots, ballistic transport, semiconductor heterojunctions

(eng): Self assembled InAs quantum dots in GaAs/GaAlAs structures were examined by ballistic electron emission icroscopy/spectroscopy. The studied structures were grown by metal beam epitaxy. Quantum dots with an image of elliptical shape were studied. Ballistic current-voltage characteristics through the quantum dot and outside the quantum dot are studied. Examples of ballistic characteristics and their derivatives in the quantum dot resonant level region are given.

(cze): Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie byly studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs/GaAlAs heterostruktuře. Měřené struktury byly narosteny metodou molekulární svazkovou epitaxií. Byly studovány tečky s eliptickým obrazem. Jsou uvedeny příklady spektroskopických chrakteristik na a mimo kvantovou tečku. Dále jsou uvedeny příklady spektroskopických charakteristik s jejich derivacemi v oblasti hladin v kvantové tečce.

: BM

07.01.2019 - 08:39