Institute of Information Theory and Automation

Publication details

Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure

Journal Article

Walachová Jarmila, Zelinka Jiří, Malina Václav, Vaniš Jan, Šroubek Filip, Pangrác Jiří, Melichar Karel, Hulicius Eduard


serial: Applied Physics Letters vol.92, 12 (2008)

research: CEZ:AV0Z20670512

research: CEZ:AV0Z10750506

research: CEZ:AV0Z10100521

project(s): GA202/05/0242, GA ČR

keywords: quantum dots, ballistic transport, semiconductor heterojunctions

abstract (eng):

Self assembled InAs quantum dots embedded in GaAs/GaAlAs heterostructure were visualized by ballistic electron emission microscopy. The spectroscopic characteristics on individual quantum dots with length from about 10 nm to 20 nm were examined. The Coulomb interaction and exchange energies between two electrons in quantum dots were determined and compared with the previously published theoretical results.

abstract (cze):

Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie byly vizualizovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs/AlGaAs heterostruktuře. Na jednotlivých kvantových tečkách s délkou od 10 nm do 20 nm byly analyzovány jejich spektroskopické charakteristiky. Z výsledků měření byla určena Coulombická a výměnná energie mezi dvěma elektrony a porovnána s dříve publikovanými teoretickými výsledky.

RIV: BM

Responsible for information: admin
Last modification: 21.12.2012
Institute of Information Theory and Automation